台湾南亚科、华邦电等内存厂将在本周召开法说，而韩国内存大厂 SK 海力士今 26 日先行登场，或能做为内存产业重要风向球。从 SK 海力士情况来看，DRAM 与 NAND Flash 需求都有回升之势，但平均销售价格似乎还未能见起色。
SK 海力士今 26 日公布财年第二季财报，SK 海力士第二季营收 3.94 兆韩圜，在需求回稳产品出货优于预期下季增 8%，对比去年同期营收则衰退 15%，但平均销售价格有所下滑，营业利润 4,530 亿，季减 19%、年减 67% 比砍半还惨，受到汇损等影响，净利 2,860 亿，季减 36%、年减高达 74%。
（Source：SK Hynix）
内存需求回春，但在平均单价降低与汇兑损失下，未能反映在获利表现。SK 海力士指出，DRAM 与 NAND Flash 位元出货量都有所成长。受到智能手机需求强劲以及电脑内存复苏之下，DRAM 位元成长 18%，但平均销售单价（ASP）却也减了 11%。NAND Flash 在智能手机嵌入式内存、SSD 等需求持续成长下，位元成长率大增 52%，平均销售单价因产品价格下降与 TLC 产品单价较低，同样减少 11%。
NAND Flash 与 DRAM 占营收比重也出现明显消长，DRAM 在第一季占 SK 海力士营收 76%，到了第二季减少 5% 至 71%，而 NAND Flash 占营收比重则成长了 5% 至 26%。
（Source：SK Hynix）
SK 海力士强调将扩大在 2Z 奈米 DRAM 产品线以反应后续的需求，2Z 奈米不只运用于公司 PC DRAM 出货，也适用于行动 DRAM，官方预计将增加 DDR4 与 LPDDR4 的出货，估计在 2016 年末出货占比将来到总 DRAM 出货量的 40%，而平面 NAND Flash 将推进到 1Y 奈米制程，业界正在竞逐的 3D NAND Flash 竞赛，SK 海力士 36 层堆叠产品已经开始出货，48 层堆叠的 3D NAND Flash 也将于今年下半问世。
展望第三季，官方预估，在几家智能手机主要客户推出新机下，需求将大幅成长，第三季有望有较佳的表现，第三季 DRAM 出货量估计能有高个位数成长，NAND Flash 更能略高于 10%，
- SK Hynix Inc. Reports Second Quarter 2016 Results
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