研调机构 IC Insights 预估，今年全球半导体资本支出金额估达 809 亿美元，将创下历史新高纪录；其中，DRAM 今年资本支出将激增 53%，是增加幅度最大的产品领域。
今年上半年半导体资本支出大幅增加，IC Insights 将今年度半导体资本支出预估金额，自先前的 756 亿美元，调高到 809 亿美元，较去年增加 20%，并将一举刷新历史新高纪录。
IC Insights 预估，今年动态随机存取内存（DRAM）资本支出金额将达 130 亿美元，较去年大增 53%，是增加幅度最大的领域；尽管这些支出将主要用以推进技术，不过，SK 海力士（SK Hynix）也将增加产能。
储存型闪存（NAND Flash）今年资本支出将达 190 亿美元，仍将高于 DRAM 的水准，也将较去年增加 33% ，IC Insights 认为，NAND Flash 的资本支出将主要投入 3D NAND Flash 制程技术。
晶圆代工今年资本支出约 228 亿美元，将较去年略增 4%，是半导体资本支出金额最多的领域，所占比重将达 28%。
（作者：张建中；首图来源：shutterstock）
