DDR4 内存开始正式进入市场，为了迎合未来高容量 DDR4 内存需求，Samsung 开始以 20nm 制程量产 8Gb 高容量 DRAM；同时针对企业、服务器市场推出单支 32GB DDR4 registered 内存模组（RDIMM）。
除了 32GB 模组的生产计划，由于 8Gb DRAM 提升容量密度，若搭配 3D 硅通孔（TSV）技术，未来将可以生产最高单支 128GB 的内存模组。
随着 20nm 8Gb DRAM 的投产，Samsung 计划将其他产品制程同步转移至 20nm 进行生产，如 PC 用 4Gb DDR3 DRAM，或是低功耗 6Gb LPDDR3 内存，未来有 20nm 版本的计划。
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