DRAM 和 NAND Flash 微缩制程逼近极限，业界认为次世代内存“磁电阻式随机存取内存”（MRAM）、“可变电阻式内存”（ReRAM）可能即将现身，要以更快的存取速度横扫市场。
韩媒 BusinessKorea 16 日报导，韩国半导体业者指出，16 奈米将是 DRAM 微缩制程的最后极限，10 奈米以下制程需要缩小晶体管体积，但是薄膜厚度却无法缩减，也可能不适合采用高介电常数（High-K）材料和电极。MRAM 和 ReRAM 因此备受期待，认为可以取代 DRAM 和 NAND Flash，业者正全力研发。
两种新内存都是非挥发性内存，切断电源后资料也不会消失，速度比现行内存快上数十倍到数百倍之多，由于内部构造较为简单，理论上未来微缩制程也有较大发展空间。其中 MRAM 采用磁阻效应（Magnetoresistance）技术，研发业者有 SK 海力士（SK Hynix）、东芝（Toshiba）。ReRAM 则靠着绝缘体的电阻变化，区别 0 和 1，外界认为或许能取代 NAND 型闪存（NAND Flash）。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：Flickr/htomari CC BY 2.0）
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