根据 TrendForce 内存储存研究（DRAMeXchange）调查显示，2018 年第三季 DRAM 整体产业营收较上季成长 9%，再创历史新高。观察各产品别的报价走势，除了绘图用内存（graphic DRAM） 受到虚拟挖矿（cryptocurrency）需求骤减与基期太高的影响，出现 3% 左右的跌幅，以及消费性市场应用主流 DDR3 因需求转弱而率先走跌外，其余主流应用别的内存（包含标准型、服务器、行动式内存）仍维持 0-2% 的季涨幅。
DRAMeXchange 指出，有别于过去两年多来营收成长主要由报价上扬所带动，由于 DRAM 产能已在下半年陆续开出，第三季价格涨幅基本已接近持平，因此营收成长主要来自于位元出货量的持续提升。展望第四季，10 月份的 DRAM 合约价已经正式走跌，除了宣告 DRAM 价格涨势告一段落，供过于求加上高库存水位的影响更导致价格跌幅剧烈。预期在供给端、通路端、采购端库存尚未去化完全前，2019 年第一季的合约价恐将面临更大的跌价压力。
从营收角度观察，DRAMeXchange 指出，在产业迈向反转之际，小厂受到的冲击较龙头厂来的即时且剧烈，因此大小厂商的表现在第三季开始出现分歧。产业龙头三星受惠于新增产能逐渐放量，位元出货成长显著，尽管平均销售单价未有明显变化，但营收仍较上季成长 13.6%，来到 127.3 亿美元的新高，在三大厂中表现最为亮眼。而 SK 海力士在产出提升及平均销售单价小幅上扬 1% 的挹注下，营收季增 6.0% 至 81.5 亿美元。两大韩厂营收市占分别为 45.5% 与 29.1%，合计约 74.6%。
美光集团依旧维持第三，虽然销售单价约略持平，但位元出货提升仍带动营收来到 59.2 亿美元，较前一季成长 6.8%，市占率则约略持平在 21.1%。
观察原厂获利能力，即便第三季平均销售单价的涨幅已大幅收敛，然各厂仍持续靠着转进先进制程优化成本结构，使得营业利益率仍较前一季上扬。三星的 1Ynm 在第三季开始出货，因新一代制程在量产初期通常良率较低，拖累部分获利表现，导致三星的营业利益率在三大原厂中成长幅度最小，由前一季的 69% 微幅上升至 70%，但仍创下历史新高，亦显示生产 DRAM 的毛利已突破 8 成水位。
至于 SK 海力士，本季 1Xnm 的良率显著提升，带动营业利益率从 63% 成长至 66%，表现最为亮眼。美光受惠 1Xnm 的比重持续提升，拉抬营业利益率从 60% 升至 62%。三大原厂营业利益率持续刷新纪录，但在第四季 DRAM 价格已正式反转向下且跌幅显著的情况下，成本优化可能已无法抵销报价下滑的冲击，因此原厂获利的高点恐已结束。
由技术面观察，三星今年除了维持 1Xnm 制程高产出比重外，部分 Line 17 增加的投片以及平泽厂 2 楼的 DRAM 产能，将往下一代 1Ynm 制程转进。随着平泽厂产能于今年下半年陆续开出，1X+1Ynm 产出比重在年底合计将达 70%，并于 2019 年持续提升 1Ynm 占比。SK 海力士经过两季的调整与改良，1Xnm 良率在第三季显著提升，而中国无锡的第二座 12 吋厂仍照进度将于年底前完工，并于 2019 上半年开始贡献产出，但受到中美贸易战的影响，无锡厂扩增投片的脚步不会太积极。而美光方面，台湾美光内存（原瑞晶）已全数以 1Xnm 生产，下一步将直接转往 1Znm，但实际贡献将落在 2020 年；台湾美光晶圆科技（原华亚科）已于第二季进行 20nm 往 1Xnm 的转换，年底前将开始转往 1Ynm，并于明年逐步提升比重。
台系厂商部分，南亚科第三季出货量小幅下滑，使营收表现较前一季衰退 3.7%。不过在 20nm 的成本效益带动下，营业利益率仍旧由上一季的 46.8% 大幅提升至 51.0%。然而，受到 DRAM 报价反转向下影响，加上南科扩厂的折旧费用要开始摊提，获利能力要再攀升恐有一定压力。
力晶科技方面，由于第三季转移较多产能至获利较好的 SLC NAND 与非 DRAM 代工产品，因此本身 DRAM 营收较上季下滑 13.3%；华邦 DRAM 营收则约略持平，出货量和平均销售单价皆呈现稳定。
（首图来源：shutterstock）
