日经新闻 28 日报导，日本半导体（芯片）、液晶技术研发机构“日本半导体能源研究所（SEL、Semiconductor Energy Laboratory）”已研发出可将耗电力压缩至现行 1/10 以下水准的次世代芯片量产技术，且台湾晶圆代工大厂联电（UMC）将抢先在 2016 年夏天开始生产采用上述技术的 CPU、内存产品。
报导指出，SEL 舍弃现行主流的硅、改用被称为“IGZO”的氧化物半导体的特殊结晶体，借由形成多层电子电路（electronic circuit）、防止电流外漏，借此达到省电的效果，除可大幅改善智能手机等电子机器的电池寿命之外，也有望促进智慧手表等穿戴式装置的普及速度。
据报导，除 CPU、内存之外，上述新技术也可应用在感测器、逻辑积体电路（IC）等广泛半导体产品上，借此可将智慧手表等穿戴式装置的电池寿命延长至现行的约 10 倍水准，而 SLE 计划将该技术卖给全球半导体厂商，借此收取特许费。
报导并指出，今后半导体基础材料可能将从现行主流的硅转换成 IGZO 特殊结晶体，而美国英特尔（Intel）、韩国三星电子（Samsung Electronics）等全球半导体大厂也正持续关注此种技术动向。
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