Micro LED 制造成本居高不下,影响商用化进程,原因在于关键的巨量转移技术瓶颈仍待突破。TrendForce LED 研究(LEDinside)最新“Micro LED 转移技术与检测维修技术分析报告”显示,目前全球厂商积极布局转移制程,但考量每小时产出量(UPH)、良率及晶粒大小(<100µm)尚无法达到商品化的水准,厂家纷纷寻求晶粒大小约 150µm 的“类 Micro LED”解决方案,预计 2018 年“类 Micro LED”显示与投影模组产品将率先问世,待巨量转移制程稳定后再朝向 Micro LED 规格产品迈进。
Micro LED 巨量转移技术面临七大挑战
LEDinside 研究副理杨富宝表示,Micro LED 制程目前面临相当多的技术挑战,在四大关键技术中,转移技术是最困难的关键制程,必须突破的瓶颈包括设备的精密度、转移良率、转移时间、制程技术、检测方式、可重工性及加工成本。由于涉及的产业横跨 LED、半导体、面板上下游供应链,举凡芯片、机台、材料、检测设备等都与过去的规格相异,使得技术门槛提高,而异业间的沟通整合也拉长研发时程。
以现有的发展状况看来,LEDinside 认为室内显示屏幕、智慧手表和智慧手环将会是首先应用 Micro LED 的产品。由于转移技术的难度甚高,各应用产品所需求的像素多寡不同,投入的厂商多半先以既有的外延焊接设备(Wafer Bonding)来做研发,或选择像素数量较少的应用产品为目标,以缩短开发时间。也有厂商直接转向研发薄膜转移(Thin Film Transfer)技术,但因设备须另外设计及调整,必须投入更多资源与时间,可能产生更多制程问题。