随着内存市场价格止跌回温，加上看好未来市炒需求激增，韩国内存大厂三星计划在 2020 年进行扩产，预计在中国西安与韩国平泽厂区投入 17 兆韩圜的资金，预计每月增加总计 11.5 万片内存晶圆产出。
根据韩国媒体《ETnews》报导，三星这次扩产计划，重点将放在 NAND Flash 闪存，而非 DRAM。原因在于 NAND Flash 闪存的市场价格回温速度要优于 DRAM，再加上竞争对手目前在 NAND Flash 闪存也较少扩产，因此选择 NAND Flash 闪存为主要扩产项目。
报导表示，三星此次的扩产计划，预计在 NAND Flash 闪存增加每月 6.5 万片晶圆产能，全部集中在中国西安厂。DRAM 方面则增加 5 万片，分别是平泽 1 厂增加 2 万片，平泽 2 厂增加 3 万片。整体来说，中国西安厂第 2 阶段已于 2019 上半年投产。该厂区除了购买新设备，三星还计划将韩国京畿道华城 Line 16 产线的设备迁移西安第 2 阶段工厂。韩国平泽 2 厂将自 2020 年 2 月开始装机，目标是预定 2020 下半年开始生产。
目前三星资本支出约 17 兆韩圜，中国西安厂支出约 9.5 兆韩圜，韩国平泽厂区投资为 6.5 兆韩圜。值得注意的是，这次整个投资比重，三星着重在 NAND Flash 闪存胜于 DRAM。对此，报导引用韩国半导体业者说法，三星对 NAND Flash 闪存较 DRAM 更积极，源自目前三星在 NAND Flash 闪存的库存已到正常水位。
各项研究报告数据都指出，预计 2020 下半年受惠于 5G 手机大量推出，使内存使用将大幅提升，也使内存供货吃紧。三星 2020 年开始提升内存产能扩充，连带影响全球半导体设备企业，为了三星积极扩厂计划而供应设备。
（首图来源：三星）
