SK 海力士周一发表全球最高密度、低耗能行动 DRAM，将应用于未来智能手机上。
海力士运用双通道 16 Gigabit 双通道芯片打造出低耗电 DDR4X 行动 DRAM，容量达 8GB。以 LPDDR4X 标准而言，SK 海力士新内存芯片密度是全球最高，功效则较现有 LPDDR4 提高两成。（koreaherald.com）
另外，与现有产品相比，8GB LPDDR4X 封装面积减少三成，厚度减少 1 厘米，这让手机业者在设计上有更多运用空间。SK 海力士打算推广新芯片应用范围至笔电、汽车电子与其他行动装置。
据市调机构 IHS 预测， 8GB 行动 DRAM 今年将可以看到需求，高阶智能手机将最为明显，如三星下一代旗舰机 Galaxy S8 是否会采用 8GB RAM，现已成为市场讨论话题。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：SK 海力士）
